下一代电源应用的制造商必须优先考虑最小化尺寸和重量。这种新型SiC整流器模块的紧凑尺寸将有助于最大限度地提高功率密度，从而减少所需的电路板空间并降低整体系统成本。

　　通过顶部冷却 (TSC) 和集成负温度系数 (NTC)传感器的组合来优化热性能，该传感器可监控设备温度并为设备或系统级预测和诊断提供实时反馈。该整流器模块可在高达 175°C 的结温下工作，并采用低电感封装，便于高频操作。

　　Nexperia表示，此次合作将尖端的碳化硅半导体与最先进的模块封装相结合，使公司能够更好地满足市场对功率密度极高的的需求。该整流器模块的发布将是Nexperia和京瓷AVX设想的长期碳化硅合作伙伴关系的第一阶段。

　　Nexperia预计新的SiC整流器模块原型将于2024年第一季度上市。

　　的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。它与硅半导体材料

　　在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状

　　材料的临界雪崩击穿电场强度较高，可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的

　　、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用。可广泛应用于太阳能逆变器、车载

　　肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。该器件将传统

　　基于RoboMasterC板的RT-Thread使用分享—PWM扩展实验

　　基于RoboMasterC板的RT-Thread使用分享—ADC测量电压实验

　　2021电赛 F题 头秃的比赛，心态崩了【2021年电赛作品】#全国大学生电子设计大赛米乐 M6米乐