制造商对下一代功率应用的关键需求是节省空间和减轻重量。这款新型的SiC模块尺寸小巧，减少了在电路板上需要的空间，有助于尽可能提高功率密度，降低总体系统成本。

　　通过结合使用顶部散热（TSC）和负温度系数（NTC）传感器优化了热性能，NTC会监控器件温度，并为设备或系统级预测和诊断提供实时反馈。

　　该整流二极管模块采用低电感封装，以实现高频操作，并且经过验证，可以在高达175℃ 的结温下工作。

　　Nexperia 和 KYOCERA AVX 在此次合作中，将顶尖的碳化硅半导体与一流的模块封装技术相结合，将使Nexperia能够更好地满足市场对极高功率密度的电力电子产品的需求。

　　我们很高兴进一步深化与 Nexperia 成功的合作关系，携手为功率电子应用生产碳化硅模块。

　　Nexperia 在制造方面的专业技术加上 KYOCERA 在模块方面的专业知识，为寻求更高功率密度并想要使用宽禁带半导体技术的客户带来了无法抗拒的产品。

　　Nexperia 预计将于2024年第一季度提供新款 SiC 整流二极管模块的样品。

　　米乐M6 米乐

　　(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状

　　的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无

　　米乐M6 米乐

　　材料的临界雪崩击穿电场强度较高，可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的

　　肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。2、SiCMOSFET对于传统的MOSFET，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额定工作结温低，但是SiCMOSFET

　　上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在

　　流程。SiC的特定特性需要优化换向电感和热性能。因此，可以提高性价比，并充分利用SiC的优势，使应用受益。

　　二极管D3和D4换成普通的低导通电阻（Rdson）的硅-MOSFET ［B1］ ，降低

　　达成合作 /

　　技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代

　　技术基本原理——生长、表征、器件和应用》 /

　　Nexperia与KYOCERA AVX Salzburg共同生产碳化硅整流器模块

　　github-profile-summary GitHub资料​可视化展示工具