工作在斩波模式，使得IGBT本身自带干扰源属性，自扰与互扰系统中的其他设备。

　　随着近几年功率半导体器件的发展，像SIC、GAN等半导体器件的出现，提升开关速率降低了损耗，但却带来了EMI的巨大挑战。

　　以三相AC380V输入驱动器的轻载低频运行为例，其整流母线V左右，Vce的turn on/off时间达到了ns级，产生dv/dt约为几KV/us ~几十KV/us，dv/dt在回路中产生的共模噪声电流为几十A甚至100A以上，严重干扰周围设备，仅从路径上去抑制，需要付出巨大的滤波成本，所以IGBT的EMI抑制一直是业界的关注点。

　　由估算结果可知，共模电流峰值达到了百安级，3m远处电场强度达到了90dB，在及实际应用中需要付出更多的抑制代价。

　　三相PWM脉冲之和不为0而形成的四电平阶梯波是产生驱动器共模干扰的本质原因。共模电压：

　　（2）改变turn on/off时间(图5：1/πtr→1/πtr1，使得 f1→f2偏移)

　　在实际应用中很难去改变幅值，所以把改变Vce频率特性的重任交给了turn on/off时间（也就是改变Vce的dv/dt）。

　　米乐 M6米乐

　　层电子迁移率8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极

　　——生长、表征、器件和应用》往期内容：8.1.4比通态电阻∈《碳化硅技术

　　——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.7迁移率限制因素∈《碳化硅技术

　　——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.1.2SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术

　　怎么用？资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子

　　系统的设计，用MATLAB7.0软件建立了系统的模型，仿真结果验证了系统设计的正确性。

　　米乐 M6米乐

　　是Pulse Width Modulation的缩写，它的中文名字是脉冲宽度调制，一种说法是它利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行

　　，以及开关电源的结构。开关电源的效率比线性电源高很多。开关电源小型化、薄

　　UC3844是美国Unitrode公司（已被TI公司收购）生产的高性能电流型脉宽调制器（

　　技术的应用十分广泛，它使电力电子装置的性能大大提高，因此它在电力电子技术的发展史上占