LED显示屏是一种迅速发展起来的新型信息显示媒体，凭借智能控制、节能环保、寿命长、光效高、安全可靠等优点，其使用愈发普遍。

　　LED显示屏电源是其重要组成部分，一款合格可靠的电源，对LED显示屏节能效果及使用寿命都是有明显的提升效果。LED显示屏电源主要用来给显示屏发光二极管提供必要的工作电流，保证显示屏体正常显示。肖特基二极管整流器因具有极快的开关速度、超低的正向电压降、极低的反向恢复时间、低泄漏和高结温能力而深受设计师们的喜爱。本文介绍了基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D02065E在LED显示屏驱动电源中的应用。

　　众所周知，大功率LED显示屏其电光转换效率仅为15％～20％，其余的电能都转化成大量的热量，碳化硅肖特基二极管B1D02065E工作结温范围为-55℃-175℃，可满足在高温环境中的应用。

　　在LED电源的电路设计过程中，保护电路的设置是必不可少的，碳化硅肖特基二极管B1D02065E的反向重复峰值电压650V，正向重复峰值电流为2A，正向不重复电流为16A，具备更强的抗浪涌能力，在大功率开关电源中可以有效提高电子设备的安全系数。

　　1、B1D02065E直流正向电压典型值仅为VF=1.4V，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压，可有效减少功率损耗和提高工作效率；

　　综上所述，B1D02065E完全可以替代C3D02065E应用于LED显示屏电源中，基本半导体是全球领先的碳化硅功率器件制造商，国芯思辰可以提供及时的技术服务和稳定的供货支持。

　　编辑：什么鱼 引用地址：兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源

　　最近市场上出现了为数不多的节能LED显示屏，那些这些节能型LED显示屏真的会节能吗，那么怎么设计节能型LED显示屏呢?下面就让我们来分析节能显示屏是如何设计的。 首先，从供电电源来看，如果要将5V降为4V，那么，肖基特正向压降在输出电压上所占的比重可定要增加，这也就让开关的电源输出的电压随之降低，因整流肖特基正向电压比重越高(其比重X=V压降/V输出，输出从5V降为4V,加入其压降为0.5V,则其比重将从0.1上升为0.125，提高25%)，电源输出效率就越低，这在LED的屏幕整体节能上并不是太过于明显的。所以采用这一电源设计原理显然是是无法实现电源工作效率的提升。同时，5V是标称值电压，在市场运用上已经相当成熟，如果新

　　eeworld网消息，Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管，以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。这种碳化硅二极管是通过Littelfuse与Monolith Semiconductor合作技术平台开发的产品系列中的首批产品。 其他基于该技术平台的碳化硅产品（包括1200V碳化硅金氧半场效晶体管）正在筹备中，预计于不远的将来推出。   GEN2系列碳化硅肖特基二极管 GEN2碳化硅肖特基二极管的额定电压为1200V，工作电流从5 A至10 A 不等，采用TO 220-2L或TO-252-2L封装。 相比标准的硅

　　器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年5月23日 — 日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。 Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。 日前发布的新一代SiC二极管包括4A至40A器件，采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封装和D2PAK 2L（TO

　　设计能效和可靠性 /

　　摘要：介绍一种5V/120ALED显示屏专用电源的设计方案,简述无损吸收技术和原边电流合成技术在电路中的应用,并给出了实验结果。 关键词：有源功率因数校正；双正激变换；无损吸收 1 引言 LED显示屏是一种迅速发展起来的新型信息显示媒体。随着我国经济的不断发展,已被广泛应用于车站、宾馆、银行、医院等公共场合。显示屏电源是其重要组成部分，主要用来给显示屏发光二极管提供必要的工作电流，保证屏体正常显示。为简单起见，通常采用由一小功率电源带3到4个显示驱动板的供电方案。这样,一个较大面积的显示屏需要配接许多电源模块，例如一个2m×1.5m的屏体，就需要提供24个5V/20A的模块电源。该设计存在以下的缺点

　　的设计 /

　　半导体市场的最新趋势是广泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管（SBD）和功率MOSFET。与此同时，由于可供分析的现场数据有限，这些器件的长期可靠性成为一个需要解决的热点问题。一些SiC供应商已开始根据严格的工业和汽车（AEC-Q101）标准来认证SiC器件，而另一些供应商不但超出了这些认证标准的要求，还能为恶劣环境耐受性测试提供数据。为了使SiC器件在任务和安全关键型应用中保持较高的普及率，应将这种认证和测试策略与特定的设计规则相结合来实现高雪崩耐受性，这一点至关重要。 市场快速增长 SiC器件的市场份额预计将在未来几年加速增长，主要推动因素是运输行业的电气化。SiC管芯将成为车载充电器和

　　和MOSFET的雪崩耐受性 /

　　Cree 公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出最新Z-Rec™650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS 二极管的阻断电压为 650V，能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算，这样可以将能效提高多达 5% 。由于数据中心的耗电量几乎占全球年耗电量的 10%，任何水平的能效提升都会有助于大幅降低总体能耗。 常规开关电源一般输入电压范围为 90V~264V，可以支持世界各地的各种交流输入电源。现有的数据中心电源架构一般采用本地供电单位提供的三相/480V电源。三相/480V电源经电力变压器降压为三相/208V 电源，并经进一步处理后作为服

　　led显示屏的研究采用屏幕为8×8的点阵显示，侧重于动态处理方法，由于显示屏幕的局限性，在此次的研究设计中只能显示英文和数字。一个基本的led屏幕由8行×8列点共64个led组成，显示屏有共阴和共阳两种连接方式。对由8×8点阵构成的led显示屏而言，一般数据端连接微处理器的8位并行数据口，而选通端则逐一使能(选通)，选择需要点亮的某一列，通过分时复用方式实现动态显示效果。选通方式一般有两种：独立选通和译码选通。 如果屏幕较小，处理器有足够的I/O口可用，则可以每个I/O口连接一个选通端，如果屏幕较大，或者处理器的I/O口不是非常丰富，则可以通过译码方式来选通。例如当8片8×8点阵的led组成一个8×128点阵的led

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